而技術推動是加速傳感器技術發展的保證和機遇。幾十年來，以微電子技術為基礎，促進了傳感器技術的發展。未來10～20年，傳統硅技術將進入成熟期(預測為2014年～2017年)。屆時，直徑300mm硅晶片將大量用于生產，使得硅的低成本制造技術和硅的應用技術將得到*的發展，這無疑將為研制生產微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術保障。從總體發展看，傳統硅技術將一直延續到2047年(即晶體管發明100周年)才趨于飽和(即達到芯片特征尺寸的極限)和衰退。而當前微電子技術仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎規律走下去，在盡力逼近傳統硅技術極限中，不斷擴展硅的跨學科橫向應用(如MEMS等)和突破“非穩態物理器件”(量子、分子器件)，而上述微電子技術發展中的兩大方向正是當前乃至未來20年傳感器技術的主要發展方向。

　　同時，多學科、多種高新技術的交叉融合，推動了新一代傳感器的誕生與發展。例如：當前我國正在重點開發的MEMS(微電子與微機械的結合)、MOMES(MEMS與微光學的結合)、智能傳感器(MEMS與CPU、信息控制技術的結合)、生物化學傳感器(MEMS與生物技術、電化學的結合)等以及今后將大力開發的網絡化傳感器(MEMS網絡技術的結合)、納米傳感器(納米技術與傳感技術的結合)均是多學科、多種學科技術交叉融合的新一代傳感器。